DG441DY-T1-E3 Circuiti Integrati Commutatorum Analogicorum QUAD SPST COMMUTATORES ANALOGICI
♠ Descriptio Producti
| Attributum Producti | Valor Attributi |
| Fabricator: | Vishay |
| Categoria Producti: | Circuiti Integrati Commutationis Analogicae |
| RoHS: | Detalia |
| Modus Montandi: | SMD/SMT |
| Sarcina/Capsa: | SOIC-16 |
| Numerus Canalium: | Canalis 4 |
| Configuratio: | Quattuor SPST |
| In Resistentia - Maxima: | 85 Ohmia |
| Tensio Alimentaria - Minimum: | 13 V |
| Tensio Alimentaria - Maxima: | 36 V |
| Minima Tensio Dualis Alimentationis: | +/- 15 V |
| Maxima Tensio Dualis Alimentationis: | +/- 15 V |
| In Tempore - Maximus: | 250 ns |
| Tempus Off - Maximum: | 120 ns |
| Temperatura Operativa Minima: | - 40°C |
| Temperatura Maxima Operativa: | +85°C |
| Series: | DG |
| Involucrum: | Rotula |
| Involucrum: | Taenia Seca |
| Involucrum: | MouseReel |
| Marca: | Vishay / Siliconix |
| Altitudo: | 1.55 mm |
| Longitudo: | Decem millimetra |
| Pd - Dissipatio Potentiae: | 900 mW |
| Typus Producti: | Circuiti Integrati Commutationis Analogicae |
| Quantitas Sarcinae Fabricae: | 2500 |
| Subcategoria: | Circuiti Integrati Commutatorii |
| Currens Copiae - Maximus: | Centum unitas A |
| Genus Copiae: | Copia Singularis, Copia Duplex |
| Currens Continuus Commutator: | 30 mA |
| Latitudo: | 4 mm |
| Alias Partium #: | DG441DY-E3 |
| Pondus Unitarium: | 666 mg |
♠ Quad SPST CMOS Analogica Commutatores
Commutatores analogici quadrupliciter monolithici DG441 et DG442 ad commutationem signorum analogicorum et audio celerem et errorem minimum praebendam designati sunt. DG441 functionem normaliter clausam habet. DG442 functionem normaliter apertam habet. Resistentiam in statu conductionis humilem (50 Ω, typ.) cum celeritate magna (tON 150 ns, typ.) coniungentes, DG441 et DG442 aptissime ad socketos DG201A/202 amplificandos aptantur. Iniectio oneris in drain ad usum in circuitibus "sample-and-hold" ad minimum redigitur.
Ad altas tensiones aestimandas et excellentem vim commutationis consequendam, DG441 et DG442 in processu portae siliconis altae tensionis Vishay Siliconix constructae sunt. Stratum epitaxiale haesionem impedit.
Uterque interruptor aeque bene in utraque directione conducit cum accensus est, et tensiones ingressae ad gradus alimentationis obstruit cum inactivus est.
• Sine halogeno secundum definitionem IEC 61249-2-21
• Resistentia in statu acti humilis: 50 Ω
• Effusio humilis: 80 pA
• Consumptio energiae humilis: 0.2 mW
• Celeris actio commutationis – tON: 150 ns
• Iniectio parvae caricae – Q: – 1 pC
• Emendationes DG201A/DG202
• Logica TTL/CMOS-compatibilis
• Facultas unius suppletionis
• Obsequens Directivae RoHS 2002/95/EC
• Commutatio soni
• Systema a pila electrica impulsa
• Acquisitio datorum
• Systema Hi-Rel
• Circuitus exempli et retinendi
• Systema communicationis
• Instrumenta probationis automaticae
• Instrumenta medica
