FDD86102LZ MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

Description:

Manufacturers: DE Semiconductor
Product Category: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Data Sheet:FDD86102LZ
Descriptio: MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
RoHS status: RoHS Compliant

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Product Detail

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Product Description

Atributo del producto	Valor de atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de producto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnologia:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua;	42 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	31 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	26 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	54 W
Modo canal:	Enhancement
Commercial Nombre:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi / Fairchild
Configuración:	Unius
Transconductancia hacia delante - Mín.	31 S
Altura:	2.39 mm
Longitud:	6.73 mm
Tipo de producto:	MOSFET
Serie:	FDD86102LZ
Cantidad de empaque de fabrica:	2500
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Ancho:	6.22 mm
Peso de la unidad:	0.011640 oz