FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
♠ Descriptio Producti
| Attributum producti | Valor attributionis |
| Fabricator: | inseminatum |
| Categoria producti: | MOSFET |
| RoHS: | Detalibus |
| Technologia: | Si |
| Modus montandi: | SMD/SMT |
| Fasciculus / Tegmen: | SSOT-3 |
| Polaritas transistoris: | Canalis N |
| Numerus canalium: | 1 Canalis |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | XX V |
| Id - Corriente de drenaje continua; | 1.7 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 55 mOhmia |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Tension umbral entre puerta y fuente: | 400 mV |
| Qg - Onus ianuae: | 5 nC |
| Temperatura de trabajo mínima: | - 55°C |
| Temperatura de trabajo máxima: | + 150°C |
| Dp - Disipación de potencia : | 500 mW |
| Canalis Modo: | Augmentatio |
| Nomen mercatorium: | Fossa Potestatis |
| Impactatum: | Rotula |
| Impactatum: | Taenia Seca |
| Impactatum: | MouseReel |
| Nota: | in semi / Fairchild |
| Configuratio: | Sola |
| Tempus casus: | 8.5 ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín. | VII S |
| Altitudo: | 1.12 mm |
| Longitudo: | 2.9 mm |
| Productum: | MOSFET Signum Parvum |
| Genus producti: | MOSFET |
| Tempus descensus: | 8.5 ns |
| Series: | FDN335N |
| Cantidad de empaque de fabrica: | tria milia |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Genus transistoris: | 1 Canalis N |
| Typus: | MOSFET |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | Undecim ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | Quinque ns |
| Ancho: | 1.4 mm |
| Aliae partium numerorum: | FDN335N_NL |
| Pondus unitatis: | 0.001058 unciae |
♠ MOSFET PowerTrench™ canalis N 2.5V specificatus
Hic MOSFET canalis N 2.5V specificatus producitur utens processu PowerTrench provecto ab ON Semiconductor, qui specialiter aptatus est ad resistentiam status acti minuendam et tamen ad conservandam humilem caricam portae ad superiorem efficaciam commutationis.
• 1.7 A, 20 V. RDS(ON) = 0.07 Ω @ VGS = 4.5 V. RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 2.5 V.
• Humilis onus portae (3.5nC typicum).
• Technologia fossae altae efficaciae ad RDS (ON) infimum.
• Magna facultas potentiae et currentis tractandi.
• Conversor DC/DC
• Commutator oneris
