IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
♠ Descriptio Producti
| Attributum Producti | Valor Attributi |
| Fabricator: | Infineon |
| Categoria Producti: | MOSFET |
| Technologia: | Si |
| Modus Montandi: | SMD/SMT |
| Sarcina / Capsa: | TO-252-3 |
| Polaritas Transistoris: | Canalis P |
| Numerus Canalium: | 1 Canalis |
| Vds - Tensio Disruptionis Fontium-Drain: | CL V |
| Id - Currens Continuus Exhauriendi: | XIII A |
| Rds Activata - Resistentia Fontis-Drenagii: | 580 mOhmia |
| Vgs - Tensio Portae-Fontis: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensio Liminaris Fontis-Portae: | 4 V |
| Qg - Impetus Portae: | 66 nC |
| Temperatura Operativa Minima: | - 55°C |
| Temperatura Maxima Operativa: | + 175°C |
| Pd - Dissipatio Potentiae: | 110 W |
| Modus Canalis: | Augmentatio |
| Involucrum: | Rotula |
| Involucrum: | Taenia Seca |
| Involucrum: | MouseReel |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Configuratio: | Sola |
| Tempus Autumnale: | XXXVII ns |
| Transconductantia directa - Min: | 3.6 S |
| Altitudo: | 2.3 mm |
| Longitudo: | 6.5 mm |
| Typus Producti: | MOSFET |
| Tempus Ortus: | 36 ns |
| Quantitas Sarcinae Fabricae: | MM |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Typus Transistoris: | 1 Canalis P |
| Typus: | Praeliminaris |
| Tempus Morae Typicum Exstinguendi: | 53 ns |
| Tempus Morae Typicum Accendiendi: | Quattuordecim ns |
| Latitudo: | 6.22 mm |
| Alias Partium #: | IRFR6215TRPBF SP001571562 |
| Pondus Unitarium: | 0.011640 unciae |
♠ IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET® MOSFET potentiae
HEXFETs quintae generationis ab International Rectifier utuntur provectis...Rationes processus ad minimam resistentiam per consequendamarea silicii. Hoc commodum, cum celeritate commutationis rapida coniunctumet designatio instrumentorum robusta quae HEXFET Power MOSFETs suntbene notus, designatori instrumentum efficacissimum praebetad usum in ampla varietate applicationum.
D-PAK ad superficiem figendum destinatus est, vaporis phase utens.technicae infrarubrae, vel undarum soldadurae. Versio plumbea recta(Series IRFU) ad applicationes montandi per foramina est. PotentiaGradus dissipationis usque ad 1.5 watt in superficie typica fieri possuntapplicationes montis.
Canalis P
Temperatura operandi 175°C
Superficialis Montura (IRFR6215)
Plumbum rectum (IRFU6215)
Technologia Processuum Provecta
Commutatio Celeris
Plena Avalanche Aestimatio
Sine Plumbo
