IKW50N65EH5XKSA1 Transistores IGBT INDUSTRIA 14
♠ Descriptio Producti
| Attributum Producti | Valor Attributi |
| Fabricator: | Infineon |
| Categoria Producti: | Transistores IGBT |
| Technologia: | Si |
| Sarcina / Capsa: | TO-247-3 |
| Modus Montandi: | Per Foramen |
| Configuratio: | Sola |
| Tensio Collectoris-Emittoris VCEO Maxima: | DCCL V |
| Tensio Saturationis Collectoris-Emittoris: | 1.65 V |
| Maxima Tensio Emitteris Portae: | XX V |
| Currens Collectoris Continuus ad 25°C: | 80 A |
| Pd - Dissipatio Potentiae: | 275 O |
| Temperatura Operativa Minima: | - 40°C |
| Temperatura Maxima Operativa: | + 175°C |
| Series: | Trenchstop IGBT5 |
| Involucrum: | Tubus |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Currens Effluentiae Portae-Emittoris: | 100 nA |
| Altitudo: | 20.7 mm |
| Longitudo: | 15.87 mm |
| Typus Producti: | Transistores IGBT |
| Quantitas Sarcinae Fabricae: | 240 |
| Subcategoria: | IGBTs |
| Nomen Mercatorium: | FOSSAE STATIO |
| Latitudo: | 5.31 mm |
| Alias Partium #: | IKW50N65EH5 SP001257944 |
| Pondus Unitarium: | 0.213383 unciae |
Offerta technologiae H5 celeritatis altae
• Optima in genere efficacia in commutatione dura et topologiis resonantibus
• Substitutio IGBT generationis prioris per "plug-and-play"
• Tensio interruptionis 650V
•QG (Impensae Portae Humilis)
• IGBT cum diodo antiparallela RAPID1 plenae aestimationis, celeri et molli, inclusa
• Temperatura maxima iuncturae 175°C
• Qualificatus secundum JEDEC pro applicationibus destinatis
• Pb-freeleadplating; RoHScompliant
• Spectrum producti completum et exemplaria PSpice: http://www.infineon.com/igbt/
• Fontes potentiae sine interruptione
•Conversores solares
•Conversores soldadurae
• Conversores frequentiae commutationis medio-alti
