NCV8402ASTT1G MOSFET 42V 2.0A
♠ Descriptio Producti
| Attributum Producti | Valor Attributi |
| Fabricator: | inseminatum |
| Categoria Producti: | MOSFET |
| RoHS: | Detalia |
| Technologia: | Si |
| Modus Montandi: | SMD/SMT |
| Sarcina / Capsa: | SOT-223-3 |
| Polaritas Transistoris: | Canalis N |
| Numerus Canalium: | 1 Canalis |
| Vds - Tensio Disruptionis Fontium-Drain: | 42 V |
| Id - Currens Continuus Exhauriendi: | 2 A |
| Rds Activata - Resistentia Fontis-Drenagii: | 200 mOhmia |
| Vgs - Tensio Portae-Fontis: | - 14 V, + 14 V |
| Vgs th - Tensio Liminaris Fontis-Portae: | 1.3 V |
| Qg - Impetus Portae: | - |
| Temperatura Operativa Minima: | - 40°C |
| Temperatura Maxima Operativa: | + 150°C |
| Pd - Dissipatio Potentiae: | 1.7 W |
| Modus Canalis: | Augmentatio |
| Qualificatio: | AEC-Q101 |
| Involucrum: | Rotula |
| Involucrum: | Taenia Seca |
| Involucrum: | MouseReel |
| Marca: | inseminatum |
| Configuratio: | Sola |
| Tempus Autumnale: | quinquaginta nos |
| Typus Producti: | MOSFET |
| Tempus Ortus: | Centum viginti nos |
| Series: | NCV8402A |
| Quantitas Sarcinae Fabricae: | mille |
| Subcategoria: | MOSFETs |
| Typus Transistoris: | 2 Canales N |
| Tempus Morae Typicum Exstinguendi: | Viginti nos |
| Tempus Morae Typicum Accendiendi: | XXV nos |
| Pondus Unitarium: | 0.008818 unciae |
♠ Impulsor Lateris Humilis Autoprotectus cum Limite Temperaturae et Currentis NCV8402, NCV8402A
NCV8402/A est instrumentum discretum intelligente ("Smart Discrete") tribus terminalibus munitum, cum protectione contra tensionem excessivam ("low-side"). Inter proprietates tutelae sunt currentia excessiva, temperatura excessiva, electrostaticitas (ESD), et inclusa fixatio ("clausula") Drain-to-Gate ("connexionem Drain-to-Gate integrata ad protectionem contra tensionem excessivam ("overweight voltage"). Hoc instrumentum tutelam praebet et aptum est asperis ambitus autocineticis.
• Protectio contra Circuitum Brevem
• Clausura Thermalis cum Reincipio Automatico
• Praesidium contra Supertensionem
• Fibula Integrata ad Commutationem Inductivam
• Praesidium ESD
• NCV8402AMNWT1G − Productum Laterum Humectabilium
• Robustitudo dV/dt
• Facultas Analogica Impulsionis (Inputus Gradus Logicae)
• Praefixum NCV pro applicationibus autocineticis aliisque quae requisita singularia loci et mutationis moderationis requirunt; AEC-Q101 qualificatus et PPAP capax.
• Hae machinae plumbeo carent et RoHS congruunt.
• Varias Oneres Resistivas, Inductivas et Capacitivas Commuta
• Potest Relay Electromechanica et Circuitus Discretos Substituere
• Autocinetica / Industrialia
