Moduli IGBT NVH820S75L4SPB SSD 750V, 820A
♠ Descriptio Producti
| Attributum Producti | Valor Attributi |
| Fabricator: | inseminatum |
| Categoria Producti: | Moduli IGBT |
| Productum: | Moduli Silicii IGBT |
| Configuratio: | Sex fasciculi |
| Tensio Collectoris-Emittoris VCEO Maxima: | 750 V |
| Tensio Saturationis Collectoris-Emittoris: | 1.3 V |
| Currens Collectoris Continuus ad 25°C: | DC A |
| Currens Effluentiae Portae-Emittoris: | 500 microA |
| Pd - Dissipatio Potentiae: | 1000 W |
| Sarcina / Capsa: | 183AB |
| Temperatura Operativa Minima: | - 40°C |
| Temperatura Maxima Operativa: | + 175°C |
| Involucrum: | Ferculum |
| Marca: | inseminatum |
| Maxima Tensio Emitteris Portae: | XX V |
| Modus Montandi: | SMD/SMT |
| Typus Producti: | Moduli IGBT |
| Quantitas Sarcinae Fabricae: | 4 |
| Subcategoria: | IGBTs |
| Technologia: | Si |
| Nomen Mercatorium: | VE-Trac |
| Pondus Unitarium: | 2.843 librae |
♠ Modulus Potestatis Automotivus 750 V, 820 A, Refrigeratio Directa Unius Lateris, Sex-Fasciculus, Modulus Directus VE-Trac, NVH820S75L4SPB
NVH820S75L4SPB est modulus potentiae e familia VE−Trac Direct modulorum potentiae valde integratorum cum vestigiis secundum normas industriales ad applicationem inverteris tractionis Hybridae (HEV) et Vehiculorum Electricorum (EV).
Modulus sex IGBTs Field Stop 4 (FS4) 750 V Narrow Mesa in configuratione sex-fasciculari integrat, quae praestat in praebenda magna densitate currentis, simul praebens robustam tutelam contra circuitum brevem et auctam tensionem obstructionis. Praeterea, IGBTs FS4 750 V Narrow Mesa iacturas potentiae humiles ostendunt sub onera leviora, quod adiuvat ad efficientiam systematis totius in applicationibus automotivis emendandam.
Ad facilitatem et firmitatem compositionis, nova generatio clavorum ad pressionem aptatorum in terminales signorum moduli potentiae integrata est. Praeterea, modulus potentiae dissipatorem caloris cum pinnis et clavis optimizatum in lamina basi habet.
• Refrigeratio Directa cum Dissipatore Caloris Pin-pin Integrato
• Inductantia Vagabunda Infima
• Tvjmax = 175°C Operatio Continua
• Damna VCESAT et commutationis humilia
• IGBT FS4 750 V Narrow Mesa Gradus Automotivi
• Technologiae Diodorum Recuperationis Celeris
• Substratum DBC Isolatum 4.2 kV
• Topologia sex fasciculorum facile integranda
• Hoc instrumentum plumbeum caret et praecepta RoHS congruit.
• Invertor Tractionis Vehiculi Hybridi et Electrici
• Conversores Altae Potentiae
