ULQ2003D1013TRY Transistores Darlingtonenses Septem Series Darlingtonensis
♠ Descriptio Producti
| Attributum Producti | Valor Attributi |
| Fabricator: | STMicroelectronics |
| Categoria Producti: | Transistores Darlingtonenses |
| RoHS: | Detalia |
| Modus Montandi: | SMD/SMT |
| Sarcina / Capsa: | SOIC-Angustus-16 |
| Series: | ULQ2003 |
| Qualificatio: | AEC-Q101 |
| Involucrum: | Rotula |
| Involucrum: | Taenia Seca |
| Involucrum: | MouseReel |
| Marca: | STMicroelectronics |
| Altitudo: | 1.75 mm |
| Longitudo: | Decem millimetra |
| Humoribus Sensibilis: | Ita |
| Typus Producti: | Transistores Darlingtonenses |
| Quantitas Sarcinae Fabricae: | 2500 |
| Subcategoria: | Transistores |
| Latitudo: | 4 mm |
| Pondus Unitarium: | 0.007079 unciae |
♠ Septem Darlingtoniae ordines
ULQ2001, ULQ2003, et ULQ2004 sunt series Darlington altae tensionis et altae currentis, singulae septem paria Darlington collectorum apertorum cum emissoribus communibus continentes. Quisque canalis 500 mA aestimatur et currentes culminantes 600 mA sustinere potest. Diodae suppressionis ad onus inductivum impellendum inclusae sunt, et ingressus contra exitus pinnis positi sunt ad dispositionem tabulae simplificandam. Hae versiones cum omnibus familiis logicis communibus interfacentur. Hae machinae versatiles utiles sunt ad amplam varietatem onerum impellendam, inter quas solenoides, relais, motores DC, lampades filamentosae cum ostensionibus LED, capita impressionis thermalis, et tampones altae potentiae. ULQ2001A/2003A et 2004A in involucris plasticis DIP 16 pinnis cum quadro cupreo plumbeo ad resistentiam thermalem minuendam praebentur. Etiam in involucro parvo (SO16) ut ULQ2003D1/2004D1 praesto sunt. ULQ2003 ut Gradus Automotivus in involucro SO16 praesto est. Numeri partium commercialium in codicibus ordinationis monstrantur. Hoc instrumentum secundum specificationem AEC-Q100 mercatus autocinetici, in ambitu temperaturae -40°C ad 125°C, qualificatum est, et probationes statisticae PAT, SYL, SBL peractae sunt.
■ Septem Darlington per sarcinam
■ Amplificatio temperaturae: -40 ad 105°C
■ Currens egressus 500 mA per impulsorem (600 mA culmen)
■ Tensio egressa 50 V
■ Productum gradus autocinetici in involucro SO16
■ Diodae suppressionis integratae pro oneribus inductivis
■ Exitus paralleli coniungi possunt ad maiorem currentem
■ Ingressus TTL/CMOS/PMOS/DTL compatibiles
■ Ingressus exitus ex adverso fixi ad ordinationem simplificandam
