VNS3NV04DPTR-E Impulsores Portae OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Descriptio Producti
| Attributum Producti | Valor Attributi |
| Fabricator: | STMicroelectronics |
| Categoria Producti: | Rectores Portarum |
| RoHS: | Detalia |
| Productum: | Impulsores Portae MOSFET |
| Typus: | Latus Inferius |
| Modus Montandi: | SMD/SMT |
| Sarcina / Capsa: | SOIC-8 |
| Numerus Aurigarum: | 2 Auriga |
| Numerus Egressuum: | 2 Output |
| Currens Egressus: | Quinque A |
| Tensio Alimentaria - Maxima: | 24 V |
| Tempus Ortus: | 250 ns |
| Tempus Autumnale: | 250 ns |
| Temperatura Operativa Minima: | - 40°C |
| Temperatura Maxima Operativa: | + 150°C |
| Series: | VNS3NV04DP-E |
| Qualificatio: | AEC-Q100 |
| Involucrum: | Rotula |
| Involucrum: | Taenia Seca |
| Involucrum: | MouseReel |
| Marca: | STMicroelectronics |
| Humoribus Sensibilis: | Ita |
| Cursus Operandi Subministrationis: | Centum unitas A |
| Typus Producti: | Rectores Portarum |
| Quantitas Sarcinae Fabricae: | 2500 |
| Subcategoria: | PMIC - Circuiti Integrati Administrationis Potestatis |
| Technologia: | Si |
| Pondus Unitarium: | 0.005291 unciae |
♠ OMNIFET II MOSFET potentiae plene automatice protectus
Instrumentum VNS3NV04DP-E ex duobus fragmentis monolithicis (OMNIFET II) intra involucrum SO-8 commune compositum est. OMNIFET II technologia STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 utens designatum est et ad substituendos MOSFETs communes in applicationibus DC usque ad 50 kHz destinatur.
Clausura thermalis inclusa, limitatio currentis linearis, et morsus tensionis excessivae microplaculam in condicionibus asperis protegunt.
Responsum erroris detegi potest per monitorationem tensionis in paxillo input.
■ ECOPACK®: sine plumbo et RoHS congruens
■ Gradus Automotivus: obsequium cum normis AEC
■ Limitatio currentis linearis
■ Clausura thermalis
■ Praesidium contra breves circuitus
■ Fibula integrata
■ Parva vis electrica ex aciculo input hausta
■ Sententia diagnostica per clavum ingressus
■ Praesidium ESD
■ Aditus directus ad portam MOSFET potentiae (impulsio analogica)
■ Compatibilis cum MOSFET potentiae ordinario
